La cuestión central es que los semiconductores de espacio indirecto requieren una “partícula” adicional para absorber o emitir luz: un fonón de una energía / momento particular. Un fonón es una vibración reticular cuantizada y la cuantificación (restricción de los niveles de energía permitidos) es un resultado directo de la misma cristalografía de intersección de la mecánica cuántica que da lugar a bandas electrónicas y espacios de banda.
La única fuente de estas son las vibraciones de celosía térmica que a 300K no son suficientes para crear / absorber tantos fotones como un semiconductor directo (que no requiere un fonón en absoluto). Básicamente, la probabilidad de recombinar reunión de agujero, electrón y fonón no cargado en el mismo lugar y al mismo tiempo es estadísticamente menor que tener una reunión de agujero y electrón (que tienen la ventaja de la atracción de carga).
- ¿Cuál es la diferencia entre un colapso de avalancha y un colapso de Zener?
- ¿Por qué los diodos conducen solo en una dirección?
- Si la barrera potencial es de 3 voltios y el diodo tiene polarización directa pero con una batería de 2 voltios, ¿será una polarización directa o inversa?
- ¿Existen realmente diodos emisores de calor?
- ¿Por qué es negativo el DN / DX en un diodo semiconductor?
