¿Cuál es el tiempo de recuperación inversa de un diodo?

Bueno, la historia comienza con cargos que se han dispensado en toda la sección transversal del diodo. Probablemente los humanos necesiten discriminar para tener una idea de qué es qué y, por lo tanto, lo intentamos nuevamente y dividimos la carga en las líneas de los operadores de carga mayoritarios y minoritarios. La corriente de recuperación inversa se debe a cargos minoritarios. Ahora, supongo que conoce las ecuaciones de continuidad para una unión degenerada. La fuente principal o corriente de corriente en un diodo de unión PN es la corriente mayoritaria debido a la difusión a través de la unión. Cuando el diodo tiene polarización inversa, todavía hay minorías en las regiones P y N que causan conducción. Echa un vistazo a continuación:

El bloqueo del diodo es cuando ocurre la corriente de recuperación inversa. La corriente de recuperación inversa contribuye a las pérdidas de conmutación y es una gran preocupación e investigación en electrónica de potencia. La típica conexión antiparalela de un diodo se ve así:

Quora no lo está tomando, trabajan en Python, no tengo idea de qué salió mal. Buscar diodo en anti-paralelo o medio puente tal vez.

Cuando el MOSFET está conduciendo, el diodo antiparalelo también conduce por un tiempo hasta que estas cargas minoritarias caen a un valor por debajo de cero y se neutralizan. La corriente de recuperación inversa se ve muy afectada por la temperatura y tiene un alto di / dt. El tiempo que tarda en desaparecer esta carga se divide en dos partes [en aras del análisis y, por supuesto, porque cambia la dirección de las corrientes].
El intervalo de tiempo tA se define como el tiempo entre el cruce por cero de la corriente y la corriente inversa máxima. El intervalo de tiempo tB se define como el tiempo
entre el pico de la corriente inversa y el tiempo en que la corriente cae a cero (o un nivel bajo predefinido). La suma de tA y tB se llama tiempo de recuperación inverso, tRR.
Para un diodo normal, tB es mucho más pequeño que tA. Para un diodo de recuperación suave, tB
es más grande que tA. Para un tiempo de recuperación inversa dado, tRR (= tA + tB), las pérdidas del interruptor de semiconductor cuando se usa un diodo de recuperación suave son menores que las pérdidas causadas por un diodo normal.

El tiempo de recuperación inversa del diodo puede definir el tiempo que tarda el diodo en recuperar su capacidad de bloqueo. Cuando el diodo conduce en modo directo, las cargas se almacenan en la región de agotamiento, así como en la capa de semiconductores. Por lo tanto, podemos ver en el gráfico que (if-t) ese tiempo ta 0 al valor máximo de la corriente inversa (Irm) es definir el período de tiempo de carga de la capa de agotamiento que se elimina y durante el período de tiempo de tb las cargas de la capa de semiconductores es eliminado (en el gráfico Irm a 1/4 de Irm). Entonces t = ta + tb se llama tiempo de recuperación inverso del diodo.