Los anchos de la región de agotamiento en el lado n y p de un diodo obedecen a la siguiente relación, como se deriva de la ecuación de Poisson:
[matemática] N [/ matemática] d * [matemática] x [/ matemática] n = [matemática] N [/ matemática] a * [matemática] x [/ matemática] p
-> [matemáticas] N [/ matemáticas] d / [matemáticas] N [/ matemáticas] a = [matemáticas] x [/ matemáticas] p / [matemáticas] x [/ matemáticas] n
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donde [matemática] N [/ matemática] d, [matemática] N [/ matemática] a se refieren a las concentraciones de dopaje en el lado n y p respectivamente, y [matemática] x [/ matemática] n, [matemática] x [/ matemática] p denota los anchos respectivos de las regiones de agotamiento a cada lado.
En consecuencia, cuando [matemática] N [/ matemática] d es mayor en comparación con [matemática] N [/ matemática] a, como lo indica la condición en la pregunta, la relación [matemática] N [/ matemática] d / [matemática] N [/ math] a superará con creces [math] 1 [/ math] y, por lo tanto, [math] x [/ math] p / [math] x [/ math] n también será mucho mayor que [math] 1 [/ math], que, a su vez, implica que el ancho de la región de agotamiento en el lado p será mucho mayor que el del lado n.
Si se reduce el ancho de la región de agotamiento, el número de iones que pueden acomodarse en la región de agotamiento más pequeña también será menor.
Por lo tanto, la mayoría de la región de agotamiento se extenderá hacia el lado p y, por lo tanto, la mayor acumulación de cargas inmóviles se produce en el lado p de la unión, que luego se convierte en el principal responsable de la creación del campo eléctrico a través de la unión.