¿Tiene una cita para esa declaración? La recombinación y su efecto contrario pueden ocurrir en cualquier lugar [1]. La probabilidad de que esto ocurra se ve afectada por la densidad de la portadora, los niveles de dopaje, el nivel de Fermi / alineación de banda (en una heterounión pn) … ver varias ecuaciones de velocidad [2]
En el sesgo directo, la recombinación domina porque el trabajo relativo que necesitan realizar los electrones se reduce. En este salto, varios electrones pierden energía para caer a una trampa (Schottky-Reed-Hall), fonón (brecha indirecta de banda o calor) o nivel de Fermi. En el último caso, el par se recombina y genera espontáneamente un fotón.
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En polarización inversa, los electrones necesitan una fuerza adicional para vencer la barrera, y esto se proporciona de dos maneras: 1) bien alumbrando sobre la unión, de modo que los fotones se absorben y la unión conduce o 2) se aplica suficiente potencial negativo para que otro mecanismo a medida que el túnel Zenner (en la foto) aumenta la densidad local de los estados, lo que estimula otra transición.
¿Dónde ocurren estas colisiones de partículas? Estadísticamente probable donde hay una mayor concentración de ambas partículas, que estará en la unión de agotamiento.
Pero una transición óptica puede ocurrir en cualquier parte del semiconductor, por lo que la espectroscopía de (electro) fotoluminiscencia (PL-E) es una técnica tan efectiva y precisa para determinar las energías de estas transiciones.
En la práctica, un diodo rara vez es una unión pn, ya que se formarán contactos schottky en la interfaz metal / semiconductor, que también impartirán algunos efectos ópticos en la región de acumulación.
[1] La corriente del diodo pn
[2] https://ecee.colorado.edu/~bart/…
Por simplicidad, esta respuesta omitió muchos detalles.
