Una unidad flash de 256 GB es solo la Ley de Moore en acción, y algunos ingeniosos trucos de fabricación de semiconductores.
Los detalles técnicos están aquí: primer vistazo al flash V-NAND 3D de 48L de Samsung | EE Times, y los tres potenciadores de gran densidad son:
- Semiconductor “nodo de proceso”. Las características de los semiconductores se reducen cada año. Este módulo de chip utiliza un nodo de proceso de 21 nm. Entonces las “características” (transistores, etc.) son pequeñas.
- Células multinivel. Los datos se almacenan en una “celda”. Las celdas de un solo nivel (SLC) retienen un bit, pero las celdas de varios niveles (MLC) retienen múltiples bits en el mismo espacio al administrar múltiples niveles de señal, no solo “activado” o “desactivado”. Las celdas de varios niveles son más lentas, pero hay muchos trucos para acelerar el almacenamiento en varios niveles. Estos chips usan celda de nivel triple (TLC) o 3 bits por celda, o un aumento de densidad de 8 veces por unidad de área sobre SLC.
- Troqueles apilados. En lugar de un solo dado dentro del chip, los chips de alta densidad acumulan 16 dados inauditos, con cada dado un increíblemente delgado 40 µm. La unión, el cableado y la gestión térmica de una pila de este tipo es casi milagrosa. Lo que tomaría 16 chips ordinarios aparece como un chip.
Además del apilamiento de troqueles, también estamos comenzando a ver estructuras 3D en cada troquel individual, un proceso llamado 3D NAND. Agregar eso a la mezcla nos pondrá en camino a unidades flash increíblemente grandes.
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