El voltaje de ruptura de un diodo PN depende del perfil de dopaje y del grosor del lado dopado inferior. Si el desglose es desglose de avalanchas, el factor limitante es el impacto de la energía de ionización de los portadores. Una vez que se logra esta energía, se produce la descomposición. Si el desglose es desglose zener, el factor limitante es la probabilidad de túnel. Ver enlace para ecuaciones:
Desglose de sesgo inverso
Más específicamente, el voltaje de ruptura de una célula solar es similar a la ruptura de avalancha de un diodo PN en teoría. Sin embargo, la descomposición de las células solares actualmente está limitada no por la descomposición de la unión sino por los defectos del proceso y del material. Por lo tanto, no es algo que uno pueda calcular con una fórmula. Ver enlaces para más detalles:
- ¿Cuál sesgo disminuye la región de agotamiento?
- ¿Qué es el detector de diodo medio?
- ¿Qué es un diodo no ideal?
- ¿Para qué sirve el diodo?
- ¿La temperatura afecta a un diodo normal?
Diferencias en el comportamiento del voltaje de polarización inversa de las células solares multicristalinas tipo n y tipo p
http://www-old.mpi-halle.mpg.de/…
