La Ley de Moore es una observación con respecto a la densidad del transistor como función del tiempo: la ley de Moore. Se predice que el límite de densidad del transistor será una vez que alcancemos los transistores de un solo átomo o / y estará limitado por los efectos cuánticos.
Desde el punto de vista tecnológico, el Si CMOS VLSI actual puede avanzar en un par de direcciones. Voy a entrar en algunos detalles a continuación:
- TFET – Transistor de efecto de campo de túnel. Tipo de dispositivo muy prometedor que puede permitir una mejora significativa del rendimiento con la densidad de corriente. Actualmente hay prototipos que funcionan pero no hay matrices que funcionen.
- Dispositivos III / V – http://ieeexplore.ieee.org/stamp…. Actualmente es la fase de producción previa a la masa. Permite una movilidad de electrones muy alta y una mejora significativa del rendimiento sobre Si CMOS. IMEC tiene los dispositivos más avanzados: http://ac.els-cdn.com/S003811011….
- Dispositivos basados en grafeno: nanofibras de grafeno. La creación de prototipos se encuentra en etapas preliminares: https://arxiv.org/ftp/arxiv/pape….
Además, se prueban nuevas geometrías para dispositivos Si y III / V, como nanocables, Gate All Around (GAA), etc.
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Los transistores cuánticos, que se basan principalmente en Si, también son un área muy prometedora. Circuito cuántico.
