Recordemos algunos conceptos básicos sobre los dispositivos semiconductores primero …
La “unión PN” es un bloque de construcción o estructura básica para cualquier dispositivo semiconductor electrónico y el ancho de agotamiento (X d ) y el voltaje inverso (V r ) mantienen una relación proporcional para cualquier unión pn (consulte la figura-1 dada).
- ¿Por qué la región de agotamiento se expande en polarización inversa?
- ¿Qué sucederá si la región de tipo N de un diodo semiconductor está altamente dopada y la región de tipo P está ligeramente dopada?
- ¿Para qué sirve el diodo?
- ¿Cómo funciona un diodo y qué hace?
- ¿Por qué la corriente de diodo es unidireccional?
(Figura 1)
Ahora … ven al JFET. Un JFET típico posee dos uniones pn ( J 1 y J 2 , Figura -2 ) con un área de canal dada. Para la operación JFET, estas uniones deben estar polarizadas inversamente siempre significa conectar la polaridad del voltaje de la puerta (V g -> V gs ) en de tal manera que los diodos de canal de puerta en modo inverso.
(Figura 2)
Entonces, según la teoría de la unión simple ( figura-1 ), el ancho de agotamiento aumenta al aumentar el voltaje inverso de la puerta. Pero en JFET este fenómeno no es demasiado fácil porque los dispositivos FET poseen dos tipos de suministro de voltaje (ver Figura 2), es decir,
– V ds (drenaje a voltaje de fuente)
– V gs (voltaje de puerta a salida)
Por encima del fenómeno veremos si mantuvimos constante el valor de Vd y seguimos aumentando los Vgs. Para esto, a un cierto valor de V gs (este Vgs particular se llama V gs, apagado ), X d aumenta uniformemente. Como resultado, el canal se cierra y la corriente de drenaje se convierte en cero ( I d = 0) [Esta situación se llama Región Pinch-Off, donde I d se convierte en cero ].
Espero … te ayudará. Para más consultas … ¡Más bienvenido!
* No confunda con Pich-Off Point , donde d se vuelve constante.
* Las cifras anteriores están tomadas de google, solo para fines de comprensión.
