¡La región de agotamiento se forma debido a dos razones!
1. Debido a sesgo
2. Debido a la concentración de dopaje
Por lo general, la región de agotamiento proporciona un potencial de unión o potencial de barrera a través de la capa de agotamiento. ¡Los electrones deben cruzar la capa de agotamiento de tal manera que su potencial sea más que el potencial de barrera para que el diodo conduzca! La capa de agotamiento actúa como RESISTENCIA a la corriente que fluye, tanto en polarización directa como inversa.
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Ahora, volviendo a su pregunta, como sabrá, la capa de agotamiento tiene un umbral más allá del cual se rompe el diodo y hay saturación .
Por lo general, cuando aumenta el voltaje de polarización directa, la capa de agotamiento se forma una vez y es constante, ya que solo el dopaje es el factor aquí (esto se debe a la formación de potencial de unión, suponiendo que lo sepa), Diode se comportará de una manera que V y Soy proporcional, es decir , con un aumento significativo en el voltaje, la corriente aumentará en consecuencia. Después de un cierto voltaje umbral, el diodo se interrumpe y hay un alto aumento de corriente con un aumento muy menor en el voltaje y la resistencia disminuye. Esto es cuando el diodo se comporta como un conductor.
Ahora, en polarización inversa, podemos controlar la capa de agotamiento tanto por dopaje como por voltaje aplicado en polarización inversa. Aquí, durante la polarización inversa, podemos observar que no hay mucho aumento en la corriente con el aumento del voltaje – Inicialmente. Después de que se alcanza el voltaje de ruptura inversa (umbral en polarización inversa), la capa de agotamiento formada se rompe y los electrones están libres y esto aumenta el flujo de corriente a un valor muy alto. Este estado se denomina descomposición y aquí el diodo actúa como un conductor perfecto y, por lo tanto, se utiliza como drenaje o cortocircuito de un dispositivo. Por lo tanto, el diodo en polarización inversa se utiliza como regulador de voltaje.
