Voy a suponer que usted sabe acerca de los niveles de fermi y quiere saber qué sucede con la región de agotamiento cuando el dopaje es alto. En caso de que no conozca los niveles de fermi, mire aquí (nivel de Fermi y función de Fermi, estadísticas de Fermi-Dirac – Wikipedia, nivel de Fermi en semiconductores intrínsecos)
Considere un semiconductor tipo P y un tipo N por separado. Como el tipo P tiene más agujeros que electrones, el nivel de fermi estaría más cerca de la banda de valencia, y dado que el número de electrones es mayor que el de los agujeros, el nivel de fermi estaría más cerca de la banda de conducción en un tipo N.
Cuando forma una unión con estos dos semiconductores, el nivel de fermi se alinea. (Dado que en equilibrio ninguna carga debe fluir en ninguna dirección). La flexión de banda ocurre (Flexión de banda – Wikipedia, https://www.researchgate.net/pos…) en la dirección del campo eléctrico y, por lo tanto, en este caso se dobla hacia el lado N. La formación de la región de agotamiento se puede ver fácilmente en esta imagen. (En esta imagen, es la longitud horizontal donde la banda se ha doblado)
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Ahora, si el dopaje es demasiado alto, en el lado P el nivel de fermi va por debajo de la banda de valencia y en el lado N el nivel de fermi va por encima de la banda de conducción, y cuando se forma una unión entre estos dos, la flexión de la banda resulta “agresiva” en una región de agotamiento más estrecha. (Mira la foto en el enlace)
