¿Cómo funciona un amplificador de detección en la operación de lectura de DRAM?

Para una celda DRAM 1a, los datos se almacenan como carga en el condensador.
Para escribir datos, la línea de bits (BL) se levanta (1) o se baja (0) al valor que se va a escribir. Y WL (línea de palabras) decide qué celda se escribirá.
Pero, la operación de lectura es destructiva, lo que implica que existe la posibilidad de que los datos se corrompan. Por lo tanto, la operación de lectura siempre es seguida por una reescritura.
Datos = 1 : la línea de bits está precargada en ‘Vdd / 2’. Si los datos almacenados son ‘1’, entonces el voltaje de la línea de bits aumenta ligeramente (debido a la carga compartida). El pequeño cambio en el voltaje de BL es detectado por los amplificadores de detección que le dicen al procesador que se almacenó un ‘1’. Ahora, el procesador realiza una operación de escritura para volver a escribir un ‘1’.
Datos = 0 : la línea de bits está precargada en ‘Vdd / 2’. Si los datos almacenados son ‘0’, entonces el voltaje de la línea de bits cae ligeramente. El pequeño cambio en el voltaje de BL es detectado por los amplificadores de detección que le dicen al procesador que se almacenó un ‘0’. Ahora, el procesador realiza una operación de escritura para escribir un ‘0’.
Los amplificadores de detección aceleran la operación de lectura; Como el BL tiene una gran capacidad, la carga / descarga lleva más tiempo. Además, sin amplificadores de detección si tuviéramos que tratar de determinar el nivel lógico de los datos almacenados, el valor de voltaje final puede no estar en ninguna de las regiones permitidas para la lógica ‘0’ o lógica ‘1’.