La ventaja clave de FeRAM sobre DRAM es lo que sucede entre los ciclos de lectura y escritura. En DRAM, la carga depositada en las placas metálicas se filtra a través de la capa aislante y el transistor de control, y desaparece. Para que una DRAM almacene datos para cualquier cosa que no sea un tiempo microscópico, cada celda debe leerse periódicamente y luego reescribirse, un proceso conocido como actualización . Cada celda debe actualizarse muchas veces cada segundo (~ 65 ms [7]) y esto requiere un suministro continuo de energía.
En contraste, FeRAM solo requiere energía cuando realmente lee o escribe una celda. La gran mayoría de la energía utilizada en DRAM se utiliza para actualizar, por lo que parece razonable sugerir que el punto de referencia citado por los investigadores de TTR-MRAM también es útil aquí, lo que indica un uso de energía aproximadamente 99% menor que DRAM. Sin embargo, el aspecto destructivo de lectura de FeRAM puede ponerlo en desventaja en comparación con MRAM.
El rendimiento de la DRAM está limitado por la velocidad a la que la carga almacenada en las celdas se puede drenar (para leer) o almacenar (para escribir). En general, esto termina siendo definido por la capacidad de los transistores de control, la capacitancia de las líneas que transportan energía a las células y el calor que genera esa energía.
FeRAM se basa en el movimiento físico de los átomos en respuesta a un campo externo, que resulta ser extremadamente rápido, estableciéndose en aproximadamente 1 ns. En teoría, esto significa que FeRAM podría ser mucho más rápido que DRAM. Sin embargo, dado que la energía tiene que fluir hacia la celda para leer y escribir, los retrasos eléctricos y de conmutación probablemente sean similares a la DRAM en general. Parece razonable sugerir que FeRAM requeriría menos carga que DRAM, porque las DRAM necesitan retener la carga, mientras que FeRAM habría sido escrito antes de que la carga se hubiera agotado. Sin embargo, hay un retraso en la escritura porque la carga tiene que fluir a través del transistor de control, lo que limita un poco la corriente.
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