¿Qué es el diodo de unión pn?

Sin embargo, si tenemos la tendencia de crear conexiones eléctricas en los extremos de cada uno de los materiales de tipo N y también de tipo P para conectarlos al suministro de batería A, actualmente existe un suministro de energía adicional para vencer la barrera potencial.

El resultado de agregar este suministro de energía adicional hace que los electrones libres tengan la capacidad de cruzar la región de agotamiento de un aspecto al otro. El comportamiento de la unión PN con respecto a la amplitud de la barrera potencial produce un dispositivo de 2 terminales conductores asimétricos asociados, más alto denominado Diodo de unión PN.

Un PN Junction Diode es uno de los únicos dispositivos semiconductores que existen, y tiene la característica de pasar corriente únicamente | en solo | en mera | en exactamente | en exactamente | en apenas} una sola dirección. Sin embargo, no como un dispositivo eléctrico, un diodo no se comporta linealmente con respecto al voltaje aplicado porque el diodo tiene una relación exponencial asociada de corriente-voltaje (IV) y, por lo tanto, no podemos delinear su funcionamiento simplemente con la ecuación de victimización asociada como Ley de Ohm.

Si se aplica un voltaje positivo apropiado (polarización directa) entre los 2 extremos de la unión PN, proporcionará electrones y agujeros libres con la energía adicional que necesitan para cruzar la unión porque la amplitud de la capa de agotamiento alrededor de la unión PN se contrae. .

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Al aplicar un voltaje negativo (polarización inversa), las cargas libres se fuerzan a separarse de la unión y se aumenta la amplitud de la capa de agotamiento. Esto tiene el resultado de acelerar o disminuir la resistencia efectiva de la unión misma permitiendo o bloqueando el flujo de corriente a través del diodo.

Luego, la capa de agotamiento se ensancha con un aumento dentro de la aplicación de un voltaje inverso y se estrecha con un aumento dentro de la aplicación de un voltaje directo. Esto a menudo se debe a las variaciones dentro de las propiedades eléctricas en los 2 lados de la unión PN que conducen a cambios físicos.

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La unión pn es el bloque de construcción fundamental de la era electrónica. Una unión p – n es un límite o interfaz entre dos tipos de material semiconductor, tipo p y tipo n, dentro de un solo cristal de semiconductor. El lado “p” (positivo) contiene un exceso de agujeros, mientras que el lado “n” (negativo) contiene un exceso de electrones. La unión pn se crea por dopaje, por ejemplo, por implantación de iones, difusión de dopantes o por epitaxia (haciendo crecer una capa de cristal dopada con un tipo de dopante encima de una capa de cristal dopada con otro tipo de dopante). Si se usaran dos piezas separadas de material, esto introduciría un límite de grano entre los semiconductores que inhibiría severamente su utilidad al dispersar los electrones y los agujeros.